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作者/文森特
编辑/嘉嘉
“我做刻蚀做了四十年，从来没有梦想到可以刻蚀到这种准确的程度”，日前，中微公司董事长、总经理尹志尧对外表示，中微半导体已经实现技术突破，氧化硅、氮化硅、多晶硅三种材料均可以实现0.02纳米的准确度，“相当于每次加工一个原子。”
要知道，目前全球刻蚀机巨头 LAM Research、TEL 等国外刻蚀机巨头其量产能力还停留在5nm、3nm阶段，虽然中微半导体的0.02nm只是在实验室取得成功，距离量产还有技术难关，但这一成果不仅意味着中国半导体在刻蚀机领域取得技术领先优势，更是反映了在欧美的强力封锁下，中国半导体产业正在顺利崛起。
在这场“小人物”草根逆袭的故事中，既有国内企业出于供应链安全考虑，不得不采用国产半导体设备的时代推动，更有像尹志尧这样的“英雄人物”的推动和带领。
对于尹志尧来说，2004年是其人生最为重要的一年，已经六十岁高龄，在应用材料公司任职副总裁的他，受江上舟的竭力邀请，拿着拉来的5000万启动资金在上海成立中微半导体，希望能够做出世界领先的刻蚀机。
作为全球刻蚀机的领军人物，来中国大陆创业并非最优选项，彼时半导体发展机会确实是在亚洲，但不是中国大陆，而是日韩和台湾。
二十世纪初，日本是全球最大的芯片设备市场，韩国和台湾是增长最快的半导体市场，而中国大陆半导体产业如同一块滩涂荒漠。
数据显示：2004年，全球半导体制造设备销售达到370.8亿美元，中国大陆半导体只有27亿美元，占比7.3%。半导体行业称，要做半导体，中国大陆除了水和空气之外，其他东西都要从国外进口。
“我是一个中国人，在中国得到了很好的教育，也有十多年的生产和研发的工作经验。去美国的时候已经36岁了，我总觉得缺些什么东西，对祖国的欠缺，应该给自己的国家做事情”，相比日韩高速发展且已经成熟的半导体产业环境，尹志尧更希望回国内创业。
理想很丰满，情怀很美好，但这也意味着中微半导体没有稳固的客户、没有足够的人才、没有相关配套设施，有的只是上海市政府对半导体技术的政策支持，所有的东西都要从零起步。
尹志尧必须要在5000万资金耗尽之前研发出刻蚀机成品，尽快商业量产，要为刚刚诞生的中微半导体提供后续的正向资金流。
对于这个60岁的老人来说，这不仅是个人理想照进现实的战争，也是中国半导体国产自主化浪潮中的前期战役之一，即关乎个人梦想，同样也关乎民族产业。
虽然基础条件不足，但彼时上海已经将半导体作为城市未来发展的核心产业，并希望引进中芯国际、中微半导体等光刻机、刻蚀机等设备企业。
刻蚀技术与光刻技术、薄膜沉积技术一起被称为芯片制造流程三大技术，对应的设备为光刻机、等离子体刻蚀机与薄膜机。
可以说光刻机是在硅片上画出芯片形状，而刻蚀机则是根据形状进行雕刻，两者占到半导体设备总成本的43%，一旦拿下光刻机和刻蚀机技术，中国就能吃下整个半导体产业，迎接信息时代的产业红利。
“美国在将近40年时间里，开发出不下10种国际先进设备，而这些设备百分之七八十是中国留学生干起来的”，尹志尧认为与先天基础不足相比，在中国做刻蚀机已经具备人才条件。
但局势并非一帆风顺，尤其是后发者想要进入市场，重新分配蛋糕时，往往会受到巨头们的围攻。
同2003年中芯国际遭到台积电专利侵权起诉一样，中微半导体研发成功可用于65～16纳米制芯片制造的等离子体刻蚀机后，应用材料公司、泛林半导体相继在2007年、2009年以专利侵权等名义对中微半导体起诉。
起诉时间点选择很巧妙，之所以选择研发结束、产品量产前，就是为了通过诉讼抓住侵权依据，让中微半导体前期的研发投入付之东流，达到一剑封喉的效果。
但与中芯国际败诉，向台积电赔款2亿美元不同，在归国创业之初，尹志尧就意识到了专利纠纷，要求跟他回国的15名工程师不得带任何文件，并将将现有的3000多项专利全部梳理，避开专利壁垒，重新研发新的刻蚀技术。
最后凭借手中的600万份文件证明刻蚀机技术为自研，应用材料公司与中微半导体庭外和解，而对泛林，中微半导体成功实现诉讼逆转，法院认定泛林半导体在专利上侵权中微半导体。
也正是尹志尧回国创业时的谨慎，通过法律诉讼扫平外部障碍后，中微半导体在研发、量产上走向了快车道。
“我并没有看到技术上有越不过去的坎。所以还是那句话，要咬紧牙关，一步一步有耐心地把它往下做，就可以做好”，在尹志尧看来，专利不是阻碍中微半导体的拦路人，它可以被绕过去。
其实真正让中微半导体和尹志尧迎来高光时刻的则是外部环境的变化。
从前虽然有政策鼓励使用国产设备，但出于对国产设备的担心，很多厂商更原因采用技术更为成熟的国外产品，数据显示：LAM、TEL、AMAT三巨头刻蚀机横扫全球，长期占据全球九成以上的市场份额。
而随着美国商务部对中国芯片半导体的打压不断增加砝码，这就迫使中国科技企业、半导体企业放弃幻想，为了确保供应链安全，不得不使用国产设备。
国产半导体替代的浪潮，为中微半导体提供了发展的土壤。据天眼查数据显示，2023年，中微半导体营收为62.64亿，较2019年的19.47亿，增长323%。更为重要的是，仅在2024年三季度，中微半导体就已经完成55.07亿元的营收。
目前中微半导体已经处于一个有机良性循环中——半导体厂商采购中微设备，中微利润增高，有更多的资金投入到研发中，形成正向增长循环。
这种正向循环的激励作用，从中微半导体的技术迭代速度上就能看出来：
2018年，自主研制的5nm等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5nm制程生产线；2022年，中微半导体宣布研发出3nm刻蚀机；2024年，中微半导体完成3nm刻蚀机原型机的设计、制造、测试，并在台积电3nm芯片生产线上应用；
随着营收快速增长，中微半导体每隔一两年就在技术进程上登上一个台阶，而在今年年初，中微半导体更是在实验室环境中取得了0.02纳米的准确度，领先其他国外刻蚀机企业。
“在中国已经有一家非美国的公司有能力供应足够数量及同等质量的刻蚀机，继续现在的国家安全出口管制已达不到其目的了”，2015年，因为中微半导体在刻蚀机上的突破，美国商务部解除了限制向中国出口刻蚀机的禁令。
这是中微半导体在刻蚀机上取得的成功，也是尹志尧带给中国半导体产业的启发，技术不是困难，耐心和坚持才是，光刻机等半导体技术的突破需要时间和整个国产生态的支持。
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